星力正版手机电玩城

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                          1. 产品信息
                            SIC功率模块

                            New/Featured Products

                            特性参数表

                            请您参照 SIC功率模块 特性参数表  

                            用途广泛的各类碳化硅(SiC)功率模块

                            应用 产品名称 型号 额定值 内部拓扑
                            电压[V] 电流[A]
                            工业 混合 SiC-IPM PMH75CL1A120 1200 75 6-in-1
                            全 SiC-IPM PMF75CL1A120
                            全SiC功率模块 1200 400 4-in-1
                            800 2-in-1
                            600
                            800
                            高频开关用混合SiC功率模块 CMH100DY-24NFH 1200 100 2-in-1
                            CMH150DY-24NFH 150
                            CMH200DU-24NFH 200
                            CMH300DU-24NFH 300
                            CMH300DX-24NFH
                            CMH400DU-24NFH 400
                            CMH400HC6-24NFM 1-in-1
                            CMH600DU-24NFH 600 2-in-1
                            光伏用DIPIPM PSH50YA2A6 600 50 4-in-1
                            轨道牵引 混合SiC功率模块 CMH1200DC-34S 1700 1200 2-in-1
                            家电 超小型全SiC DIPIPMtd> PSF15S92F6 600 15 6-in-1
                            PSF25S92F6 25
                            超小型混合SiC DIPPFC PSH20L91A6-A 20Arms Boost chopper×2
                            超小型全SiC DIPPFC PSF20L91A6-A

                            有着优异特性的碳化硅(SiC)

                            降低电能损耗

                            JIANGDIDIANNENGSUNHAO

                            TANHUAGUICAILIAODEJUEYUANJICHUANDIANCHANGQIANGDUDAYUEBIDANJINGGUIGAO10BEI。 CHUCIZHIWAI,YOUYUZHUYAOJUEDINGDIANZUDEPIAOYICENGDEHOUDUYEZHIYOUDANJINGGUIDESHIFENZHIYI,SUOYIDIANZUYEDAFUJIANGDI,CONGERJINYIBUJIANSHAODIANNENGSUNHAO。 TONGSHI,SiCDEYOUYUEXINGNENGYEDAFUJIANGDILEGONGLVQIJIANDEDAOTONGSUNHAOYIJIKAIGUANSUNHAO。


                            高温操作

                            GAOWENCAOZUO

                            星力正版手机电玩城ZAIWENDUSHENGGAOSHI,DIANZIHUIXIANGDAODAIZHUANYI,LOUDIANLIUZENGJIA,DAOZHIWUFAZHENGCHANGYUNXING。 TANHUAGUIDEJINDAIKUANDUYUEWEIDANJINGGUIDESANBEI,JISHIZAIGAOWENSHILOUDIANLIUDEZENGJIAYEHENXIAO,KEYIQUEBAOGAOWENXIAYUNXING。


                            高速的开关操作

                            GAOSUDEKAIGUANCAOZUO

                            TANHUAGUIZAILIYONGQIANGDUHENGAODEJUEYUANJICHUANDIANCHANGJIANGDIDIANNENGSUNHAODETONGSHI,YERONGYISHIXIANNAIGAOYA,SUOYIKEYILIYONGDANJINGGUIWUFASHIYONGDEXIAOTEJISHILEIERJIGUAN(SBD)(Schottky Barrier Diode)。 YOUYUSBDMEIYOUZAILIUZILEIJIA,ZUIZHONGBANGZHUSHIXIANGAOSUDEKAIGUANDONGZUO。


                            优异的散热效果

                            YOUYIDESANREXIAOGUO

                            TANHUAGUIDERECHUANDAOLVYUEWEIDANJINGGUIDESANBEI,YOUXIAOTIGAOLESANRENENGLI。


                            Featured Products
                            家电用 600V/15A・25A 超小型全SiC DIPIPM的优点

                          2. 搭载SiC-MOSFET,能够降低通态阻抗,与已有产品*相比,功率损耗约减少70%
                          3. 反向恢复电流变小,降低系统运行噪音
                          4. 集成丰富功能,如自举电路、温度输出等
                          5. 采用独有的高开通阈值电压 SiC-MOSFET芯片,门极驱动无需负压关断
                          6. 确保封装和引脚布局与已有产品*的兼容性,直接更换可提高系统性能
                          7. *: 本公司产超小型DIPIPM系列


                            内部模块图

                            内部模块图

                            功率损耗比较

                            功率损耗比较


                            Featured Products
                            PV用 600V/50A 大型混合SiC DIPIPM的优点

                          8. 二极管处搭载SiC-SBD芯片,开关管处搭载CSTBT™结构的第7代IGBT硅片
                          9. 与现有产品*相比,功率损耗约减少25%
                          10. 短路保护方式变更有助于减小光伏逆变器体积


                          11. *: 本公司生产的大型DIPIPM PS61A99


                            内部模块图

                            内部模块图

                            功率损耗比较

                            功率损耗比较


                            Featured Products
                            家电用 超小型混合/全SiC DIPPFC的优点

                          12. 搭载SiC-MOSFET,能够满足高频化应用(最高40kHz)要求,电抗器、散热器等周边配套部件的小型化有助于降低成本
                          13. 内置双升压斩波电路,能够实现交错并联控制
                          14. 与超小型DIPIPM相同封装,与逆变电路共用散热器时,无需额外调整两者的高度,安装更加方便



                          15. 内部模块图(全SiC DIPPFC)

                            内部模块图

                            功率损耗比较

                            功率损耗比较


                            Featured Products
                            工业用 1200V/75A混合/全SiC IPM的优点

                          16. 内置驱动电路、电流检测电路和保护电路
                          17. 功率损耗比现有产品*大幅降低
                          18. 与现有产品*兼容封装,可替换



                          19. *: 本公司生产的IPM L1系列PM75CL1A120

                            主要规格

                            额定值 1200V/75A 6in1
                            内置功能
                              内置驱动电路
                              欠压保护
                              短路保护
                              过温保护
                              (检测IGBT硅片表面)

                            内部模块图(全SiC DIPPFC)

                            内部模块图

                            功率损耗比较

                            功率损耗比较


                            Featured Products
                            工业用 1200V/400A・1200V/800A 全SiC功率模块的优点

                          20. 与现有产品*相比,功率损耗约减少70%
                          21. 采用低电感封装,充分发挥SiC器件性
                          22. 与现有产品*相比,封装体积大幅减小,安装面积约减少60%,有助于减小变流器的体积和重量



                          23. *: 使用2个本公司生产的IGBT模块CM400DY-24NF(1200V/400A 2in1)时

                            产品阵容

                            应用 额定电压 额定电流 内部拓扑 封装尺寸
                            工业 1200V 400A 4-in-1 92.3×121.7mm
                            800A 2-in-1

                            与已有产品的封装比较

                            与已有产品的封装比较

                            功率损耗比较 1200V/800A 全SiC功率模块

                            功率损耗比较 1200V/800A全SiC 功率模块

                            New Products
                            工业用 1200V/600A・1200V/800A 全SiC功率模块的优点

                          24. 内置短路检测电路,能够将短路故障信息输出给控制系统
                          25. 与现有产品*相比,功率损耗约减少70%*
                          26. 采用低电感封装,充分发挥SiC器件性能



                          27. *: 使用2个本公司生产的IGBT模块CM400DY-24NF(1200V/400A 2in1)时

                            产品阵容

                            型号 额定电压 额定电流 封装尺寸 (D x W)
                            1200V 600A 79.6×122mm
                            800A

                            ★★ Under development

                            内部保护电路图(示例)

                            内部保护电路图(示例)

                            功率损耗对比 1200V/800A 全SiC功率模块

                            功率损耗对比 1200V/800A全SiC  功率模块

                            Featured Products
                            高频用 混合SiC功率模块的优点

                          28. 与现有产品*相比,功率损耗约减少40%,设备效率更高
                          29. 有助于小型化轻量化,低电感封装有助于减小浪涌电压
                          30. 与现有产品*兼容封装,可替换



                          31. *: 本公司生产的IGBT模块NFH系列

                            产品阵容

                            应用 型号 额定电压 额定电流 内部拓扑 封装尺寸
                            ( D x W )
                            工业 CMH100DY-24NFH 1200V 100A 2-in-1 48×94mm
                            CMH150DY-24NFH 150A 48×94mm
                            CMH200DU-24NFH 200A 62×108mm
                            CMH300DU-24NFH 300A 62×108mm
                            CMH300DX-24NFH 63×152mm
                            CMH400DU-24NFH 400A 80×110mm
                            CMH400HC6-24NFM 400A 1-in-1 62×108mm
                            CMH600DU-24NFH 600A 2-in-1 80×110mm

                            反向恢复波形(FWD)

                            反向恢复波形(FWD)

                            功率损耗比较

                            功率损耗比较

                            Featured Products
                            铁路牵引变流器用 混合SiC功率模块的优点

                          32. 与现有产品*相比,功率损耗减少30%
                          33. 适合铁路应用的高可靠设计
                          34. 与现有产品*兼容封装,可替换



                          35. *: 本公司生产的功率模块CM1200DC-34N

                            主要规格

                            模块 最大运行结温 150℃
                            绝缘电压 4000Vrms
                            Si-IGBT
                            @150℃
                            集电极-发射极饱和电压 2.3V
                            开关损耗
                            850V/1200V
                            导通 140mJ
                            关断 390mJ
                            SiC-SBD
                            @150℃
                            发射极-集电极电压 2.3V
                            充电电荷 9.0µC

                            内部模块图

                            内部模块图

                            功率损耗比较

                            功率损耗比较

                            星力正版手机电玩城SANLINGDIANJIDETANHUAGUI(SiC)GONGLVQIJIANDEYANFAYUDAZAIGAIQIJIANDECHANPIN

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                            同步迈向低碳社会和富足生活

                          36. ※1:截至公告发布时。由我公司调查。 ※2:截至2018年4月正在研发中。
                          37. *
                            上文中的年月为公告发布的时间或者产品发售月份
                          38. 碳化硅功率模块以及搭载该模块的产品,使用了日本经济产业省以及独立行政法人新能源和产业技术综合开发机构(NEDO)委托研究的部分成果。
                          39. 链接图标

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